導致靶面各單元的電阻值不同。應用隨著傳統(tǒng)燃料能源的減少以及對環(huán)境造成的危害也越來越嚴重,能源問題日益成為制約國際社會經濟發(fā)展的瓶頸，越來越多的***制定了大力發(fā)展太陽能的計劃。與較亮像素對應的靶單元阻值較小，與較暗像素對應的靶單元阻值較大，這樣一幅圖像上各像素的不同亮度就表現(xiàn)為靶面上各單元的不同電阻值，原來按照明暗分布的“光像”就變成了相應的“電像”。從電子槍陰極發(fā)出的電子，在電子槍電場作用下高速射向靶面，并在偏轉磁場作用下按照掃描規(guī)律掃過靶面上的各個單元。當電子束接觸到靶面某個單元時，使陰極、光電靶、負載電阻RL及電源E構成一個回路。

半導體光電器件是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來，使光和電互相轉化的新型半導體器件。N型半導體中自由電子濃度較高，因此自由電子由N型半體向P型半導體擴散，同樣的空穴會由P型半導體向N型半導體擴散。光電器件主要有：利用半導體光敏特性工作的光電導器件、利用半導體光伏打效應工作的光電池和半導體發(fā)光器件等。一、 光電導器件半導體材料的光敏特性，即當半導體材料受到一定波長光線的照射時,其電阻率明顯減小,或說電導率增大的特性。這個現(xiàn)象也叫半導體的光電導特性。利用這個特性制作的半導體器件叫光電導器件。

3、光電三極度管光電三極管的結構與普通三極度管相同,但基區(qū)面積較大,便函于接收更多的入射光線。例如，美國的“光伏建筑計劃”、歐洲的“百萬屋頂光伏計劃”，日本的“朝日計劃”，以及我國發(fā)展的“光明工程”等都極大地促進了太陽能的發(fā)展。入射光在基區(qū)激發(fā)出電子----空穴時，形成基極電流，而集電極電流是基極電流β倍，因此光照便能有效地控制集電極電流。光電三極管比光電二極管有更高的靈敏度。二、光伏打器件----硅光電池半導體PN結在受到光照射時能產生電動勢的效應，叫光伏打效應。硅光電池就是利用光伏打效應將光能直接換成電能的半導體器件。

信號。為更有效的利用由電子與空穴來產生電流，因此必須加入電場使自由電子與空穴分離進而產生電流。隨著科技的進步，CCD技術日臻完善，已廣泛用于安全防范、電視、工業(yè)、通信、遠程教育、可視網絡1電話等領域。 [4] 太陽能電池材料選取光照射在物質上時，部份的光會被物質吸收，部份的光則經由反射或穿透等方式離開物質，選取太陽光電池材料的考量就是吸光效果要很好，如此才能使輸出功率增加。選取太陽光電池材料的第二考量是光導效果，欲選取光導效果佳的材料首先必須了解太陽光的成分及其能量分布狀況，進而找出適當?shù)奈镔|作為太陽光電池的材料。